电力设备
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电力设备
2023年02月17日
投资评级: 看好(维持)
行业走势图
数据来源:聚源
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利齐升期 —行业点评报告》 -2023.2.4
HJT系列报告二: 硅片薄片化 +吸杂,可较好实现
HJT电池降本增效
——异质结行业深度报告
殷晟路(分析师)
yinshenglu@kysec.cn
证书编号: S0790522080001
硅片薄片化及吸杂为 HJT重要降本增效方式
HJT降本增效方式主要包含“三减一增” +提效。减少银浆消耗和减少主栅线银
耗主要是降低金属化成本,减少硅料用量主要为减少硅成本,增加光吸收量为减
少光学损失,提效可摊薄各环节通量成本。 2022年底HJT电池中硅成本占比 71%,
为HJT电池成本第一大项, 通过硅片薄片化 可直接降低硅成本,通过 吸杂工艺
可降低硅成本和提升转换效率。
HJT适用更薄硅片 ,100元/kg硅料价格下每减薄 10μm可降本1.6分钱/W
HJT电池为全对称结构,制造工艺流程简单,且由于非晶硅层存在制造过程最高
温度不超过 200℃。PERC和TOPCon电池最低需要 850/900℃,且由于均为非对
称电池结构,烧结过程由于内部应力不一致容易导致硅片翘曲,增加电池及组件
失效风险,因此薄片化潜力相对较小。 HJT电池由于对称结构 +低温工艺, 不容
易引起硅片翘曲更适合薄片化降本。 HJT电池通过薄片化, 在多晶硅致密料价格
约200元/kg下,硅片每减薄 10μm在25.5%转换效率下可降低硅成本约 0.016
元/W,若硅料价格回落到 100元/kg,对应0.008元/W。
HJT导入硅片吸杂可同时降本提效,并提升整体经济性
吸杂技术是减少硅片的加工和工艺过程的污染 、改善硅片的性能的一种非常有效
的方法,通过管式扩P或者链式涂覆 P源后高温扩散可降低硅片中杂质含量。
通过导入吸杂工艺,可降低 HJT电池硅料采购要求实现降低硅成本;通过硅片
品质改善可 减少硅片中少数载流子复合中心,提高电池的开路电压 ,从而提高 HJT
电池光电转换效率 提升超过 0.15%;通过提效带来单瓦硅成本下降,以及电池组
件环节除设备投资外非硅成本下降,预计导入吸杂工艺可降低 HJT组件成本约
0.6分钱/W。
随着HJT产业发展,硅片薄片化及吸杂产业链均有望受益
开源证券:异质结行业深度报告-HJT系列报告二-硅片薄片化+吸杂-可较好实现HJT电池降本增效.pdf